産業のコメとも呼ばれる半導体覇権競争が激化している。焦点となっているのが、半導体の微細化。サムスン電子と台湾のＴＳＭＣが３ナノの量産化に成功したが、次世代である２ナノ半導体の試作・量産をめぐり、先行する両社だけではなく米インテル、日本のラピダスも本格的に参入した。

 

　サムスン電子は６月２７日、米シリコンバレーで「サムスン・ファウンドリ・フォーラム２０２３」を開催した。同フォーラムの席上で発表された半導体２ナノ戦略が注目を集めた。
半導体は、１世代ごとに約７０％の微細化が進む。それを「テクノロジーノード」（＝ナノメートル）という数値で表すが、ナノメートルの単位が小さくなるほど、低電力、高性能、超小型半導体の製造が可能となる。現在、その微細化の最先端を走るのが韓国のサムスンと台湾のＴＳＭＣだ。
サムスンは昨年６月、３ナノ半導体の量産に世界で初めて成功。ＴＳＭＣは少し遅れて昨年の１２月から３ナノ半導体量産を開始した。現在、３ナノ半導体の量産化に成功したのはこの２社のみだ。
２ナノ半導体生産の主導権を取ることが、グローバルな半導体覇権争いの鍵を握るとみられていることから、微細化技術競争は激化している。
フォーラムでは（１）２０２５年、モバイル用半導体の生産から開始する（２）翌２６年にはハイパフォーマンス・コンピューティング（ＨＰＣ）に２ナノ工程を適用する（３）２７年には車載用半導体工程に拡大するなどサムスンの２ナノ工程が発表された。
現在、３ナノ工程の技術基準でサムスン電子がＴＳＭＣに比べて１年ほど遅れていると見られている。ＴＳＭＣは来年初めに計画していた２ナノ工程の試作品の生産を、今年７月にも実施する考えを示している。　一方、サムスンは昨年６月、ナノ競争の中核とされるＧＡＡ（Ｇａｔｅ　Ａｌｌ　Ａｒｏｕｎｄ）トランジスタ技術を３ナノ半導体の量産に世界で初めて導入した。
ＴＳＭＣは、ＧＡＡ技術の３ナノ利用に至っておらず、２５年から生産を始める２ナノ工程からこの技術を適用する予定と言われている。そのため両社の２ナノ技術力は今後、縮まっていくと見られている。
米・インテルもファウンドリ部門への投資を大幅に強化している。ドイツやポーランド、イスラエルなどに半導体工場の新規建設を推進する意向で、サムスン、ＴＳＭＣには後れをとるものの２４年上半期には２ナノ工程を導入し、２５年下半期からは１・８ナノ工程を生産ラインに導入すると発表している。
日本の半導体企業であるラピダスも米ＩＢＭと協力し、２５年に２ナノ半導体の試作品を完成、２７年から量産すると発表した。ただし、ラピダスは現在、トップグループから「９世代」も技術レベルが遅れている。３ナノ工程の量産化の成功なく、２ナノ半導体を量産した場合、品質が保障されるかは未知数と疑問視されている。ラピダスは、トヨタやＮＴＴなど日本主要大企業８社が提携し発足した半導体企業。今後の動向が注目される。